하이브리드 본딩2 HBM4 규격 표준 합의 보도 (TC본딩 vs 하이브리드 본딩) 최근 국제반도체표준화기구인 JEDEC에서 오는 2026년 상용화를 앞둔 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 표준을 발표했습니다. 오늘은 HBM4 규격 표준 합의 보도에 대해서 알아보겠습니다. JEDEC(국제 반도체 표준화 기구) HBM4 제품 규격 표준 합의 HBM3E까지 최대 적층 단수 12단 HBM4부터 최대 16단까지 확대 최근 JEDEC은 HBM4 패키지 두께 기준을 이전 세대인HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 두께 720um보다 두꺼운 775um로 결정하였습니다. HBM4는 2026년부터 양산화 될 6세대 고대역폭메모리입니다. HBM4의 패키지 두께 기준 775um의 영향 기존 본딩 기술(TC 본딩)로 16단 D램 적층 HBM4 구현 가능 하이브리드 본딩 투자 필요성 감소 패키지 두께 완화로 수율.. 2024. 3. 17. 반도체 후공정 본딩 기술 발전 방향(와이어 본딩, 플립칩 본딩, TSV, 하이브리드 본딩) 최근 반도체 소형화와 반도체 성능을 향상시키기 위해 반도체 칩을 3D 적층하는 기술인 이종직접기술이 요구되고 있습니다. 이종직접기술은 칩의 수평 배열이 아닌 수직 배열 적층을 함으로써 면적을 최소화하고 반도체 성능을 향상시킬 수 있습니다. 3D 적층 기술이 개발되면서 전기적 연결 통로는 만드는 본딩 공정 기술도 함께 발전했습니다. 오늘은 반도체 후공정 본딩 기술 발전 방향(와이어 본딩, 플립칩 본딩, TSV, 하이브리드 본딩)에 대해서 알아보겠습니다. 본딩(Bonding)이란 본딩(Bonding)은 반도체 칩과 기판을 접착하는 것을 의미하며, 칩과 외부와의 전기적 연결 신호를 만들어주는 과정입니다. 패키징 공정의 일부인 본딩이 잘못되면 전공정에서 만들어진 반도체 칩은 전기적 작동을 전혀 할 수 없습니다... 2024. 2. 24. 이전 1 다음 반응형
