3D NAND 고단화1 TEL 극저온 식각 장비 및 3D NAND 고단화 수혜주 (하나머티리얼즈, 유니셈, 에프에스티) 최근 TEL 극저온 식각 장비가 핫 이슈로 떠오르고 있습니다. 오늘은 TEL 극저온 식각 장비 및 3D NAND 고단화 수혜주 (하나머티리얼즈, 유니셈, 에프에스티)에 대해서 알아보겠습니다. 3D NAND 고단화 NAND 적층수가 236/238단을 넘어 300단 이상 확대되고 있습니다. (1) 삼성전자V8(236단 double stack 양산 중)V9(300단 double stack 2024년 양산 예정)V10(400단 triple stack 25년 양산 예정) -> TEL 극저온 식각 장비를 사용 시 double stack으로 400단 가능, 원가 경쟁 우위 (2) SK하이닉스238단 double stack 양산 중321단 triple stack 25년 양산 예정 (3) 마이크론232단 double .. 2024. 5. 15. 이전 1 다음 반응형
