HBM4 규격 표준 합의 보도 (TC본딩 vs 하이브리드 본딩)

최근 국제반도체표준화기구인 JEDEC에서 오는 2026년 상용화를 앞둔 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 표준을 발표했습니다.

HBM4 규격 표준 합의 보도 (TC본딩 vs 하이브리드 본딩)

 

오늘은 HBM4 규격 표준 합의 보도에 대해서 알아보겠습니다.

 

JEDEC(국제 반도체 표준화 기구) HBM4 제품 규격 표준 합의

 

<HBM 두께 기준>

• HBM3E까지 최대 적층 단수 12단
• HBM4부터 최대 16단까지 확대

 

최근 JEDEC은 HBM4 패키지 두께 기준을 이전 세대인HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 두께 720um보다 두꺼운 775um로 결정하였습니다.

 

HBM4는 2026년부터 양산화 될 6세대 고대역폭메모리입니다.

 

HBM4의 패키지 두께 기준 775um의 영향

 

• 기존 본딩 기술(TC 본딩)로 16단 D램 적층 HBM4 구현 가능
• 하이브리드 본딩 투자 필요성 감소
• 패키지 두께 완화로 수율, 쇼티지, 비용 문제를 해결

 

SK하이닉스 어드밴스트 패키지 기술

 

 

 

하이브리드 본딩

 

HBM의 높이를 줄여야 하는 이유는 HBM 패키지 실장을 위해서입니다.

 

제한된 패키지 내 실장을 위해서는 칩 두께 가공, 카파 필러 범프 축소 등이 필요한데, 칩 두께 가공은 한계에 처한 상황으로 카파 필러 범프 피치 축소 혹은 제거가 필요합니다.

 

하이브리드 본딩은 범프와 솔더볼이 아닌 구리(Cu)-Cu를 통해 다이를 부착하는 기술입니다.

 

하이브리드본딩 = 유전체(sio2) 본딩 + 금속(Cu) 본딩

 

하이브리드 본딩 장점

• bump pich를 감소
• 시그널 loss 감소
• 칩 사이즈가 감소

 

기존 솔더볼 대비 IO(입출력)을 대폭 늘릴 수 있습니다.

 

하이브리드 본딩 적용 시 1㎟ 면적에 1만~10만개의 비아 연결이 가능합니다.

 

하이브리드 본딩 공정 순서

 

1) 다이 표면 준비 Die Surface Preparation

2) 다이와 웨이퍼 접합 Die to Wafer Bonding 

3) 열처리 Annealing

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지금까지 HBM4 규격 표준 합의 보도에 대해서 알아보았습니다.

 

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