미중 갈등으로 중국은 반도체 장비 사재기로 기술 해자의 중요성이 부각되고 있습니다.
국내에 몇 안되는 독점장비 회사 HPSP에 대해서 알아보겠습니다.
미중 화해 모드
경쟁구도 자체가 미국쪽으로 힘이 실리는 상황입니다.
(중국 중국판 리먼 브라더스 상황 vs 미국 경제가 탄탄)
미국 지나 레이먼드 상무장관 방중
<반도체 장비 반입>
- 14나노 이하의 시스템 반도체
- 19나노 이하의 D램
- 128단 이상의 낸드플래시
규제로 장비 반입이 어려운 상황으로 1년 유예를 받음.(23년 10월에 만료)
추가 1년 유예 가능
<중국 반도체 장비 사재기>
중국 6~7월 반도체 장비를 대규모로 구입, YoY +70% 50억 달러 규모
대부분 네델란드 ASML 노광 장비, 일본 TEL의 식각장비
고압수소 어닐링 장비 업체 HPSP
2017년 4월 풍산으로부터 장비사업 부문 양수
2017년 3월 설립, 2022년 7월 15일 코스닥 시장 상장
사업 영역 - 계면 결함 개선을 위한 고압 수소 어닐링 장비
고압수소 어닐링 장비 (독점)
(1) 비활성화 수소 어닐링 공정
웨이퍼 표면의 계면결함을 전기적으로 비활성화 시키는 공정입니다.
반도체 트랜지스터 구동전류 및 집적회로 성능 10~15% 개선되는 효과가 있습니다.
(2) 비활성화 수소 어닐링 공정의 핵심장비 HPSP 고압 수소 어닐링 장비
공정 미세화에 적합한 낮은 온도 환경 조성
계면결함 비활성화 공정에 최적화 된 수소 농도
글로벌 독점 기술을 기반한 높은 진입장벽
국내에 몇 안되는 독점장비 업체
2대주주 한미반도체
글로벌 주납품업체 TSMC에 공급, 영업이익 50~60%
HPSP 주목해야 하는 이유 (투자아이디어)
(0) 반도체 미세화로 고압 수소 어닐링 장비 필요성 (10나노 이하 결함 제거에 독보적)
공정 미세화 (트렌지스트 크기 감소, 절연막 크기 감소)
-> 누절전류 증가
-> 절연막 High-k 사용하여 누설전류 해결
-> 절연막과 웨이퍼 사이 계면결함이 증가 (기존 산화막 대비 10~100배)
-> 고온 열처리로 해결 (SiO2 절연막 400~500도 환경, High-k 600도 이상)
-> Metal gate 와 금속 배선이 고온으로 변질
-> 저온 공정에 대한 필요성 부각
-> 고압 수소 어닐링 장비
(1) 기술적 독점으로 인한 기술적 해자 (OPM 50%)
구분 | 타사 장비 | HPSP 고압 수소 어닐링 장비 |
압력 | 1ATM 미만 | 1 ~ 25 ATM |
공정온도 | 600 ~ 1,100°C | 공정온도 250~450°C |
수소농도 | 수소농도 5% 미만 | 수소농도 100% |
공정미세화 | 16nm 이하 적용 불가 | 3nm~32nm 적용 중 |
진입장벽 | 낮음 | 높음 (글로벌 독점) |
(2) 반도체 업황 턴어라운드
영업이익 전강후약(23년) -> 조정 시 좋은 진입 시기
하반기 업황이 안 좋은 이유는 메모리 쪽이 안 좋기 때문
22년 기준 메모리 비중 33% 차지했는데 23년에는 메모리 비중이 23%로 10% 하락 전망 (감산)
내년 반도체 업황 턴어라운드 예상
(3) 고압 산소(산화) 장비로의 신사업 진출 (24년 3Q)
(4) 2023년 말 Capa 2배 확대, 매출 상승
40대 (22년 기준 매출 1,600억 원) -> 80대 (3,200억 원)
(5) 최근 핫한 AVP(HBM 관련주)쪽으로 고압 기술이 필요해질 가능성 증가
기존 낸드플래시 적층 단수 증가 시 유전체 간 접점에서의 defect 문제를 고압수소어닐링 장비로 해결
하이브리드본딩쪽에서 표면 처리 용도 예상
HPSP 리스크
독점지위가 흔들리는 경우 예스티와 특허분쟁
HPSP 실적 (매출액/영업이익)
고압수소 어닐링 장비 매출 비중이 90%이상 차지
- 22년 1,593억/852억
- 1Q23 588억/349억
- 2Q23 478억/265억
- 23년(F) 1,800억/950억
파운드리/로직 선단 공정 투자 증가 & 메모리 반도체 사업 진출
HPSP 주가 전망
밸류에이션의 측면에서 매수하기에는 부담스러운 자리
조정일 때마다 분할 매수 권장
지금까지 국내에 몇 안되는 독점장비 회사 HPSP에 대해서 알아보았습니다.
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