대만 지진 이후 메모리와 파운드리 영향

오늘은 대만 지진 이후 메모리와 파운드리 영향에 대해서 알아보겠습니다.

대만 지진 이후 메모리와 파운드리 영향

 

대만 지진 이후 메모리와 파운드리 영향

 

(1) 메모리

 

Micron D램 가동 중단, 2분기 D램 가격 협상 주도권 변화

 

글로벌 DRAM 생산의 16%를 차지하는 마이크론 (Micron: MU) 대만 D램 생산라인 (Taichung Fab)은 대량의 웨이퍼 불량이 발생한 가운데 공정 라인의 시스템 손상도 확인되어 당분간 정상 가동이 쉽지 않을 전망입니다.

 

이에 따라 지진 발생 후 마이크론은 고객사들과 D램 가격 협상을 잠정 중단한 것으로 보이고, 추가적인 라인 검사 진행 이후 2분기 고정가격 협상을 재개할 것으로 예상됩니다.

 

또한 난야 (Nanya)의 1개 생산라인 (Fab3A)은 전체 가동이 중단된 상태로 보이고, 나머지 1개 라인 (Fab5A)도 일부 가동을 중단한 것으로 추정됩니다.

 

따라서 구매자 중심으로 가격협상이 지속된 D램 시장은 대만 지진 영향으로 2분기 D램 가격 협상의 주도권이 메모리 반도체 제조사 중심으로 변화 (Buyers' → Sellers' market)될 전망입니다.

 

(2) 파운드리

TSMC 12인치 capa. 1/5 가동 불투명, 2나노 (nm) 생산 차질

 

대만 파운드리 업체들은 지진 발생 후 10시간 만에 공장 설비의 70%를 복구했다고 밝혔습니다.

 

그러나 TSMC는 지진 발생 후 생산 인력 모두가 대피한 생산라인 (Hsinchu Fab 12: 12인치 전체 생산능력 18%)의 경우 용수 배관이 파손되고 일부 전공정 장비의 시스템 오류가 발생하며 향후 추가 검사가 필요해 정상 가동이 불투명할 것으로 예상됩니다.

 

또한 동일 생산라인에서 2나노 (nm) 양산을 준비하고 있어 향후 2나노 생산 계획에도 일부 차질이 발생될 것으로 추정됩니다.

 

한편 12인치 전체 생산능력의 26%를 차지하는 생산라인 (Taichung Fab 15)의 경우 최신 내진 설계로 몇시간 정도 가동이 중단됐지만, 여진이 계속 발생하고 있어 정상 가동까지는 다소 시간이 소요될 것으로 추정됩니다.

 

한편 25년 만의 최대 규모 강진에 따른 대만 파운드리 공급망 우려는 향후 글로벌 고객사들의 파운드리 공급선 다변화 계기를 만들 전망입니다.

 

특히 향후 3년간 AI 반도체 수요 급증이 예상되는 가운데 고객사들은 2025년부터 2나노 (nm) AI 반도체 양산 요구도 증가하고 있어 2024년부터 5나노 이하 선단 파운드리 공정의 공급선 다변화가 TSMC 중심에서 삼성 파운드리로 빠르게 이뤄질 것으로 기대됩니다.

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지금까지 대만 지진 이후 메모리와 파운드리 영향에 대해서 알아보았습니다.

 

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