TEL 극저온 식각 장비 및 3D NAND 고단화 수혜주 (하나머티리얼즈, 유니셈, 에프에스티)

최근 TEL 극저온 식각 장비가 핫 이슈로 떠오르고 있습니다.

 

오늘은 TEL 극저온 식각 장비 및 3D NAND 고단화 수혜주 (하나머티리얼즈, 유니셈, 에프에스티)에 대해서 알아보겠습니다.

 

3D NAND 고단화

 

NAND 적층수가 236/238단을 넘어 300단 이상 확대되고 있습니다.

 

(1) 삼성전자

• V8(236단 double stack 양산 중)
• V9(300단 double stack 2024년 양산 예정)
• V10(400단 triple stack 25년 양산 예정) -> TEL 극저온 식각 장비를 사용 시 double stack으로 400단 가능, 원가 경쟁 우위

 

(2) SK하이닉스

• 238단 double stack 양산 중
• 321단 triple stack 25년 양산 예정

 

(3) 마이크론

• 232단 double stack 양산 중
• 300+a단 triple stack 25년 양산 예정

 

적층수가 확대될수록 식각공정의 난이도와 중요성이 높아지고 있습니다.

 

TEL 극저온 식각 장비

 

TEL은 2023년 6월 2세대 극저온 식각 장비(Cryogenic Etch) 를 공개했습니다.

 

식각 공정 중 Bosch Process는 공정을 진행하면서 보호막 역할을 하는 폴리머가 깎이며 발생하는 부산물이 배출되어야 제대로 식각이 이루어지는데, 식각 부위가 좁은 부분은 부산물이 원활히 배출되지 않아 선택비를 낮추는 Micro Loading Effect가 발생합니다.

 

이를 해결하기 위해 폴리머의 사용량을 줄이면 고종횡비 식각이 어려워지는 Trade Off의 관계에 놓이게 되었습니다.

 

극저온 식각(Cryogenic Etch)은 이러한 문제를 해결하기 위해서 고려되고 있는 차세대 식각 기술입니다.

 

TEL의 2세대 극저온 식각 장비는 공정 시간 53% 단축, 식각률 향상(8um → 10um)을 통해 기존 Channel Hole Etching 공정에서 독점적인 점유율을 보유했던 램리서치의 점유율을 빼앗을 것으로 예상됩니다.

 

삼성전자는 TEL의 극저온 식각 장비를 2H24 양산 예정인 V9(290단) NAND에 일부 도입, 2025년 양산 예정인 V10(400단)부터 본격 도입할 것으로 예상됩니다.

 

SK하이닉스는 기존에도 TEL의 식각 장비를 주로 사용했기에 극저온 식각 장비를 테스트 중에 있으며 Kioxia/WDC도 도입을 고려 중입니다.

 

TEL의 극저온 식각 장비 수혜 업체

TEL의 극저온 식각 장비 도입에 따른 국내 수혜 업체로 하나머티리얼즈, 유니셈, 에프에스티를 제시합니다.

 

(1) 하나머티리얼즈

• 2023년 기준 TEL향 매출 비중 64%.
• TEL의 식각 장비 점유율 확대에 따른 수혜 전망.
• TEL이 하나머티리얼즈 지분 13.8% 보유한 2대주주

 

(2) 유니셈, 에프에스티

• 극저온 식각 장비용 칠러 납품에 따른 수혜 전망.
• 극저온 식각 장비는 기존 식각 장비 대비 많은 칠러 및 높은 사양을 요구하여 수량 및 판가가 상승할 것으로 예상.

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지금까지 TEL 극저온 식각 장비 및 3D NAND 고단화 수혜주 (하나머티리얼즈, 유니셈, 에프에스티)에 대해서 알아보았습니다.

 

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